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          三相集成GaN技術(shù)如何更大限度地提高電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的性能

          • 在應(yīng)對(duì)消費(fèi)類(lèi)電器、樓宇暖通空調(diào)(HVAC)系統(tǒng)和工業(yè)驅(qū)動(dòng)裝置的能耗挑戰(zhàn)中,業(yè)界積極響應(yīng),通過(guò)實(shí)施諸如季節(jié)性能效比(SEER)、最低能效標(biāo)準(zhǔn)(MEPS)、Energy Star 和Top Runner等項(xiàng)目推進(jìn)建立系統(tǒng)能效評(píng)級(jí)體系。變頻驅(qū)動(dòng)器(VFD) 可為加熱和冷卻系統(tǒng)提供出色的系統(tǒng)效率,特別是在這些系統(tǒng)具有范圍非常寬的精確速度控制的情況下。VFD使用逆變器控制電機(jī)轉(zhuǎn)速,并進(jìn)行高頻脈寬調(diào)制(PWM)開(kāi)關(guān),可獲得真正的可變速度控制。雖然這些逆變器目前是使用絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)和金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效
          • 關(guān)鍵字: 202409  三相集成GaN  電機(jī)驅(qū)動(dòng)器  GaN  

          倒計(jì)時(shí)5天!ICDIA-IC Show & AEIF 2024 蓄勢(shì)待發(fā)

          • (一)會(huì)議概況2024中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)創(chuàng)新大會(huì)暨第四屆IC應(yīng)用展(ICDIA-IC Show)和第十一屆汽車(chē)電子創(chuàng)新大會(huì)(AEIF)暨汽車(chē)電子應(yīng)用展將于9月25-27日在無(wú)錫同期召開(kāi),兩會(huì)共設(shè)2場(chǎng)高峰論壇、8場(chǎng)專(zhuān)題分會(huì)(含1場(chǎng)供需對(duì)接+1場(chǎng)強(qiáng)芯發(fā)布),150場(chǎng)報(bào)告,6000+平米展區(qū)展示,200+展商展示IC創(chuàng)新成果與整機(jī)應(yīng)用,200+行業(yè)大咖,500+企業(yè)高管,5000+行業(yè)嘉賓參會(huì)。會(huì)議看點(diǎn)1、第十屆汽車(chē)電子創(chuàng)新大會(huì)(AEIF)概況2024 AEIF技術(shù)展覽規(guī)模將全面升級(jí),聚焦大模型與AI算力、汽車(chē)電
          • 關(guān)鍵字: ICDIA-IC Show & AEIF 2024   

          新潔能SiC/GaN功率器件及封測(cè)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目延期

          • 8月13日,新潔能發(fā)布公告稱(chēng),擬將此前募投項(xiàng)目中的“第三代半導(dǎo)體 SiC/GaN 功率器件及封測(cè)的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項(xiàng)目達(dá)到預(yù)定可使用狀態(tài)日期延期至2025年8月。此次延期是受宏觀環(huán)境等不可控因素的影響,項(xiàng)目的工程建設(shè)、設(shè)備采購(gòu)及人員安排等相關(guān)工作進(jìn)度均受到一定程度的影響,無(wú)法在計(jì)劃時(shí)間內(nèi)完成。據(jù)悉,此次延期項(xiàng)目屬新潔能二廠區(qū)擴(kuò)建項(xiàng)目,項(xiàng)目總投資約2.23億元,2022年開(kāi)建,原計(jì)劃2024年建設(shè)完成。項(xiàng)目建成后,將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn) SiC/GaN 功率器件2640萬(wàn)只。新潔能稱(chēng),本次募投項(xiàng)目延期僅涉及項(xiàng)目進(jìn)度的
          • 關(guān)鍵字: 新潔能  SiC  GaN  功率器件  封測(cè)  

          CAGR達(dá)49%,2030全球GaN功率元件市場(chǎng)規(guī)?;蛏?3.76億美元

          • 根據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)最新報(bào)告《2024全球GaN Power Device市場(chǎng)分析》顯示,隨著英飛凌、德州儀器對(duì)GaN技術(shù)傾注更多資源,功率GaN產(chǎn)業(yè)的發(fā)展將再次提速。2023年全球GaN功率元件市場(chǎng)規(guī)模約2.71億美元,至2030年有望上升至43.76億美元,CAGR(復(fù)合年增長(zhǎng)率)高達(dá)49%。其中非消費(fèi)類(lèi)應(yīng)用比例預(yù)計(jì)會(huì)從2023年的23%上升至2030年的48%,汽車(chē)、數(shù)據(jù)中心和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景為核心。AI應(yīng)用普及,GaN有望成為減熱增效的幕后英雄AI技術(shù)的演進(jìn),帶動(dòng)算力需求持續(xù)攀升,C
          • 關(guān)鍵字: CAGR  GaN  功率元件  

          TrendForce:預(yù)計(jì)2030年全球GaN功率元件市場(chǎng)規(guī)模上升至43.76億美元

          • 8月15日消息,根據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)最新報(bào)告顯示,隨著英飛凌、德州儀器對(duì)GaN技術(shù)傾注更多資源,功率GaN產(chǎn)業(yè)的發(fā)展將再次提速。2023年全球GaN功率元件市場(chǎng)規(guī)模約2.71億美元,至2030年有望上升至43.76億美元,CAGR(復(fù)合年增長(zhǎng)率)高達(dá)49%。報(bào)告顯示,非消費(fèi)類(lèi)應(yīng)用比例預(yù)計(jì)會(huì)從2023年的23%上升至2030年的48%,汽車(chē)、數(shù)據(jù)中心和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景為核心。
          • 關(guān)鍵字: 英飛凌  德州儀器  GaN  功率元件  

          TrendForce:預(yù)計(jì) 2030 年全球 GaN 功率元件市場(chǎng)規(guī)模 43.76 億美元,復(fù)合年均增長(zhǎng)率達(dá) 49%

          • IT之家 8 月 14 日消息,TrendForce 最新報(bào)告顯示,隨著英飛凌、德州儀器等對(duì) GaN(氮化鎵)技術(shù)傾注更多資源,功率 GaN 產(chǎn)業(yè)的發(fā)展將再次提速。2023 年全球 GaN 功率元件市場(chǎng)規(guī)模約 2.71 億美元(IT之家備注:當(dāng)前約 19.39 億元人民幣),到 2030 年有望上升至 43.76 億美元(當(dāng)前約 313.14 億元人民幣),CAGR(復(fù)合年均增長(zhǎng)率)達(dá) 49%。據(jù)介紹,消費(fèi)電子是功率 GaN 產(chǎn)業(yè)的主戰(zhàn)場(chǎng),并由快速充電器迅速延伸至家電、智能手
          • 關(guān)鍵字: 功率器件  GaN  

          羅姆將亮相2024深圳國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)

          • 全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都市)將于8月28日~30日參加在深圳國(guó)際會(huì)展中心(寶安新館)舉辦的2024深圳國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)(以下簡(jiǎn)稱(chēng)PCIM Asia)(展位號(hào):11號(hào)館D14)。屆時(shí),將聚焦碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導(dǎo)體,展示其面向工業(yè)設(shè)備和汽車(chē)領(lǐng)域的豐富產(chǎn)品陣容及解決方案。同時(shí),羅姆工程師還將在現(xiàn)場(chǎng)舉辦的“寬禁帶半導(dǎo)體器件— 氮化鎵及碳化硅論壇”以及“電動(dòng)汽車(chē)論壇”等同期論壇上發(fā)表演講,分享羅姆最新的功率電子技術(shù)成果。展位效果圖羅姆擁有世界先進(jìn)的碳化硅
          • 關(guān)鍵字: 羅姆  SiC  氮化鎵  GaN  

          第三代半導(dǎo)體,距離頂流差了什么

          • 潮流就是即便你放棄了我,也不妨礙我越來(lái)越火。距離特斯拉宣布放棄碳化硅已經(jīng)過(guò)去了一年,這個(gè)市場(chǎng)非但沒(méi)有被拋棄,反而以 GaN、SiC 為代表的第三代半導(dǎo)體發(fā)展備受關(guān)注:Yole 數(shù)據(jù)顯示,2026 年 GaN 市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)可達(dá) 6.72 億美元。SiC 碳化硅 2027 年全球 SiC 功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模有望突破 60 億美元。預(yù)測(cè)是人算不如天算,第三代半導(dǎo)體優(yōu)勢(shì)已經(jīng)被講的翻來(lái)覆去了,市場(chǎng)的反饋是最真實(shí)和殘酷的—很火但不是主流。碳化硅與新能源車(chē)能不能齊飛?新能源是第三代半導(dǎo)體應(yīng)用的重要驅(qū)動(dòng)力。新能源車(chē)的最大
          • 關(guān)鍵字: GaN  SiC  

          英飛凌加速氮化鎵布局,引領(lǐng)低碳高效新紀(jì)元

          • 近年來(lái),隨著科技的不斷進(jìn)步和全球?qū)G色低碳發(fā)展的需求日益增長(zhǎng),半導(dǎo)體行業(yè)迎來(lái)了前所未有的發(fā)展機(jī)遇。氮化鎵(GaN)作為一種新型半導(dǎo)體材料,以其高功率、高效率、耐高溫等特性,在消費(fèi)電子、電動(dòng)汽車(chē)、可再生能源等多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。作為全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者,英飛凌在氮化鎵領(lǐng)域持續(xù)深耕,通過(guò)戰(zhàn)略布局、技術(shù)創(chuàng)新、市場(chǎng)應(yīng)用拓展等不斷鞏固其市場(chǎng)地位。近日,英飛凌在上海慕尼黑展會(huì)期間舉辦了一場(chǎng)專(zhuān)門(mén)的氮化鎵新品媒體溝通會(huì),會(huì)上英飛凌科技大中華區(qū)消費(fèi)、計(jì)算與通訊業(yè)務(wù)市場(chǎng)總監(jiān)程文濤先生以及英飛凌科技
          • 關(guān)鍵字: 氮化鎵  英飛凌  GaN Systems  

          東芝推出全新可重復(fù)使用的電子熔斷器(eFuse IC)系列產(chǎn)品

          • 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)近日宣布,推出新系列8款小型高壓電子熔斷器(eFuse IC)——TCKE9系列,支持多種供電線路保護(hù)功能。首批兩款產(chǎn)品“TCKE903NL”與“TCKE905ANA”于今日開(kāi)始支持批量出貨,其他產(chǎn)品將陸續(xù)上市。TCKE9系列產(chǎn)品具有電流限制和電壓鉗位功能,可保護(hù)供電電路中的線路免受過(guò)流和過(guò)壓狀況的影響,這是標(biāo)準(zhǔn)物理熔斷器無(wú)法做到的。即使發(fā)生異常過(guò)流或過(guò)壓,也能保持指定的電流和電壓。此外,新產(chǎn)品還具有過(guò)熱保護(hù)和短路保護(hù)功能,當(dāng)電路產(chǎn)生異常熱量或發(fā)生意外短路時(shí),可通
          • 關(guān)鍵字: 東芝  電子熔斷器  eFuse IC  

          氮化鎵為何被如此看好,能否替代硅基材料大放異彩?

          • 氮化鎵材料相較于硅基材料,顯著優(yōu)勢(shì)體現(xiàn)在節(jié)能、成本節(jié)約及材料省用上。其核心亮點(diǎn)在于其超快的開(kāi)關(guān)速度,在硅、碳化硅與氮化鎵三者中獨(dú)占鰲頭。這一特性直接促進(jìn)了開(kāi)關(guān)頻率的大幅提升,進(jìn)而允許大幅縮減被動(dòng)元器件及散熱器的尺寸與數(shù)量,有效降低了物料消耗,彰顯了氮化鎵在物料節(jié)省方面的卓越能力。此外,在效率層面,氮化鎵與碳化硅并駕齊驅(qū),通過(guò)實(shí)現(xiàn)極低的導(dǎo)通阻抗(即單位面積上可達(dá)到的最小電阻),相較于硅材料實(shí)現(xiàn)了數(shù)量級(jí)的優(yōu)化。這種高效的導(dǎo)電性能,是氮化鎵提升系統(tǒng)效率的關(guān)鍵所在。綜合上述兩方面優(yōu)勢(shì),氮化鎵的應(yīng)用不僅促進(jìn)了系統(tǒng)性
          • 關(guān)鍵字: 氮化鎵  GaN    

          氮化鎵(GaN)的最新技術(shù)進(jìn)展

          • 本文要點(diǎn)? 氮化鎵是一種晶體半導(dǎo)體,能夠承受更高的電壓。? 氮化鎵器件的開(kāi)關(guān)速度更快、熱導(dǎo)率更高、導(dǎo)通電阻更低且擊穿強(qiáng)度更高。? 氮化鎵技術(shù)可實(shí)現(xiàn)高功率密度和更小的磁性。氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 是兩種寬禁帶半導(dǎo)體,徹底改變了傳統(tǒng)電力電子技術(shù)。氮化鎵技術(shù)使移動(dòng)設(shè)備的快速充電成為可能。氮化鎵器件經(jīng)常用于一些轉(zhuǎn)換器和驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用氮化鎵是一種晶體半導(dǎo)體,能夠承受更高的電壓。通過(guò)氮化鎵材料的電流比通過(guò)硅半導(dǎo)體的電流速度更快,因此處理速度也更快。本文將探討氮化鎵材料以及氮化鎵技術(shù)如何顛覆整個(gè)行業(yè)。氮化
          • 關(guān)鍵字: GaN  

          Guerrilla RF宣布收購(gòu)Gallium GaN技術(shù)

          • 近期,Guerrilla RF宣布收購(gòu)了Gallium Semiconductor的GaN功率放大器和前端模塊產(chǎn)品組合。Guerrilla RF表示,通過(guò)此次收購(gòu),公司獲得了Gallium Semiconductor 所有現(xiàn)有的元件、正在開(kāi)發(fā)的新內(nèi)核以及相關(guān)知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)。公司將為無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施、軍事和衛(wèi)星通信應(yīng)用開(kāi)發(fā)新的GaN器件產(chǎn)品線并實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。Guerrilla RF官方經(jīng)銷(xiāo)商Telcom International的一位員工表示,公司計(jì)劃向韓國(guó)市場(chǎng)供應(yīng)Guerrilla RF的射頻晶體管,并將其
          • 關(guān)鍵字: Guerrilla RF  Gallium GaN  

          純晶圓代工廠格芯收獲一家GaN研發(fā)商

          • 7月1日,純晶圓代工廠格芯(GlobalFoundries)宣布已收購(gòu)Tagore專(zhuān)有且經(jīng)過(guò)生產(chǎn)驗(yàn)證的功率氮化鎵(GaN)技術(shù)及IP產(chǎn)品組合,以突破汽車(chē)、物聯(lián)網(wǎng)和人工智能(AI)數(shù)據(jù)中心等廣泛電源應(yīng)用的效率和性能界限。資料顯示,無(wú)晶圓廠公司Tagore成立于2011年1月,旨在開(kāi)拓用于射頻和電源管理應(yīng)用的GaN-on-Si半導(dǎo)體技術(shù),在美國(guó)伊利諾伊州阿靈頓高地和印度加爾各答設(shè)有設(shè)計(jì)中心。格芯表示,此次收購(gòu)進(jìn)一步鞏固公司對(duì)大規(guī)模生產(chǎn)GaN技術(shù)的決心,該技術(shù)提供多種優(yōu)勢(shì),可幫助數(shù)據(jù)中心滿足不斷增長(zhǎng)的電力需求,
          • 關(guān)鍵字: 晶圓代工  格芯  GaN  

          臺(tái)達(dá)電子與TI成立創(chuàng)新聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室,瞄準(zhǔn)GaN

          • 6月21日,臺(tái)達(dá)電子宣布與全球半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)廠商德州儀器(TI)成立創(chuàng)新聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室。臺(tái)達(dá)表示,此舉不僅深化雙方長(zhǎng)期合作關(guān)系,亦可憑借TI在數(shù)字控制及氮化鎵(GaN)等半導(dǎo)體相關(guān)領(lǐng)域多年的豐富經(jīng)驗(yàn)及創(chuàng)新技術(shù),強(qiáng)化新一代電動(dòng)車(chē)電源系統(tǒng)的功率密度和效能等優(yōu)勢(shì),增強(qiáng)臺(tái)達(dá)在電動(dòng)車(chē)領(lǐng)域的核心競(jìng)爭(zhēng)力。臺(tái)達(dá)交通事業(yè)范疇執(zhí)行副總裁及電動(dòng)車(chē)方案事業(yè)群總經(jīng)理唐修平表示:“透過(guò)與TI成立創(chuàng)新聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室,運(yùn)用TI在數(shù)位控制及GaN領(lǐng)域豐富經(jīng)驗(yàn)與技術(shù)優(yōu)勢(shì),提升電動(dòng)車(chē)電源系統(tǒng)的功率密度和效能,期盼雙方達(dá)到更緊密的技術(shù)交流及合作,以更具前瞻
          • 關(guān)鍵字: 臺(tái)達(dá)電子  TI  GaN  
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